??氣相沉積設(shè)備是進(jìn)行真空沉積（VD）的設(shè)備，在減壓下使物質(zhì)氣化并在靶材上形成薄膜。

通過(guò)使用氣相沉積設(shè)備，可以在目標(biāo)物體上形成光滑的涂膜，并且還可以控制膜的厚度和成分。

氣相沉積設(shè)備的應(yīng)用

氣相沉積設(shè)備可以由多種材料形成薄膜，包括鋁等金屬材料以及有機(jī)和無(wú)機(jī)材料。

氣相沉積設(shè)備用于以下目的。

• 光學(xué)薄膜（鏡片增透膜、特殊鏡子等）
• 磁帶（錄音帶、錄像帶等）
• 半導(dǎo)體（有機(jī)EL、LED、太陽(yáng)能電池等）
• 電子元件（電阻、電容、半導(dǎo)體集成電路等）
• 食品包裝材料（休閑食品袋用鋁蒸鍍膜等）
• 分析用途（樣品制備）

使用旋轉(zhuǎn)泵或渦輪分子泵降低腔室內(nèi)部的壓力，將要沉積的材料蒸發(fā)并沉積在遠(yuǎn)程位置的目標(biāo)上。通過(guò)形成減壓狀態(tài)，去除腔室內(nèi)的雜質(zhì)，提高汽化物質(zhì)的擴(kuò)散性，形成具有良好附著力的光滑薄膜。

電鍍是眾所周知的在材料表面形成薄膜的方法，但不同之處在于，電鍍時(shí)從液相供給原料，而在氣相沉積中從氣相供給原料。

氣相沉積設(shè)備的類(lèi)型

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氣相沉積設(shè)備所采用的氣相沉積方法包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（PVD），根據(jù)使物質(zhì)汽化的方法可分為兩種：沉積（Deposition）、CVD）。物理氣相沉積是利用加熱等物理方法使沉積材料氣化或升華來(lái)形成膜的方法。加熱方法有電子束、電阻加熱、高頻感應(yīng)、激光等。

• 電子束加熱
  通過(guò)對(duì)坩堝內(nèi)收容的耐火材料等氣化材料照射電子束，使其氣化。電子束還可以應(yīng)用于高能量和高熔點(diǎn)的材料。
• 電阻加熱電流通過(guò)電阻器（例如
  鎢）以產(chǎn)生熱量，并且通過(guò)將沉積材料放在其頂部，沉積材料被加熱并汽化。它適用于低熔點(diǎn)材料，因?yàn)樯邷囟认鄬?duì)困難。
• 將沉積材料放置在纏繞有高頻感應(yīng)加熱
  線圈的坩堝中，高頻電流通過(guò)線圈產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)。磁場(chǎng)產(chǎn)生的電流和電產(chǎn)生的熱量加熱電阻迅速升高溫度并汽化薄膜材料。
• 激光加熱
  通過(guò)用激光照射沉積材料，提供高能量以使沉積材料蒸發(fā)。

使用等離子體或分子束的方法也是物理氣相沉積方法的類(lèi)型。

• 分子束外延（MBE）
  通過(guò)在超高真空下進(jìn)行真空蒸發(fā)，蒸發(fā)的分子沿同一方向直線行進(jìn)，從而可以更精確地控制薄膜厚度和成分。生長(zhǎng)速度慢，需要高真空，不適合較大的設(shè)備，難以批量生產(chǎn)。
• 濺射當(dāng)將惰性氣體（如?氬氣）
  注入 真空中并向電極施加電壓以引起輝光放電時(shí)，等離子化的氬氣與陰極碰撞，踢出陰極上的原子和分子。此時(shí)，如果將待蒸發(fā)的物體放在陽(yáng)極上，則噴射出的原子就會(huì)沉積在表面。電離方法包括直流電壓（DC）、射頻交流電壓（RF-AC）、磁控管和離子束。